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Siehe Technische Spezifikationen

D2013UK +BOM

Trans RF MOSFET N-CH 65V 4A 5-Pin Case DK

Hersteller:

TT Electronics
Herstellerteil #:

D2013UK
Datenblatt:

D2013UK Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

4 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

65 V
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen D2013UK-Treiber von TT Electronics an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung D2013UK.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category:	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity:	N-Channel
Technology:	Si	Id - Continuous Drain Current:	4 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	65 V	Operating Frequency:	1 GHz
Gain:	10 dB	Output Power:	20 W
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Mounting Style:	SMD/SMT
Configuration:	Dual	Pd - Power Dissipation:	83 W
Product Type:	RF MOSFET Transistors	Subcategory:	MOSFETs
Transistor Type:	DMOS FET	Type:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage:	20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V to 7 V

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