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Siehe Technische Spezifikationen

D2002UK +BOM

single-ended DP MOSFET for V system

Hersteller:

TT Electronics / Semelab
Herstellerteil #:

D2002UK
Datenblatt:

D2002UK Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

2 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

65 V

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
LOWCrss
SIMPLE BIAS CIRCUITS
LOW NOISE
HIGH GAIN–13dB MINIMUM

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Id - Continuous Drain Current	2 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	65 V	Operating Frequency	1 GHz
Gain	13 dB	Output Power	5 W
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Mounting Style	SMD/SMT
Configuration	Single	Height	5.08 mm
Length	18.92 mm	Pd - Power Dissipation	29 W
Product Type	RF MOSFET Transistors	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	DMOS FET	Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V	Width	6.35 mm
Unit Weight	0.332245 oz

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