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Siehe Technische Spezifikationen

DS1225Y-150 +BOM

Memory; 64k Nonvolatile SRAM; 150 ns; 5 V (Typ.); 85 mA (Max.); 150 ns; 150 ns

Hersteller:

MAXIM
Herstellerteil #:

DS1225Y-150
Datenblatt:

DS1225Y-150 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
Access Time-Max:

150 ns
JESD-30 Code:

R-PDIP-T28
JESD-609 Code:

e0
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an DS1225Y-150

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

10 years minimum data retention in the absence of external power
Data is automatically protected during power loss
Directly replaces 2k x 8 volatile static RAM or EEPROM
Unlimited write cycles
Low-power CMOS
JEDEC standard 28-pin DIP package
Read and write access times as fast as 150 ns
Full ±10% operating range
Optional industrial temperature range of
-40°C to +85°C, designated IND

Anwendung

Industrial devices
Communication systems
Embedded applications

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Transferred	Reach Compliance Code
Access Time-Max	150 ns	JESD-30 Code	R-PDIP-T28
JESD-609 Code	e0	Memory Density	65536 bit
Memory IC Type	NON-VOLATILE SRAM MODULE	Memory Width	8
Number of Functions	1	Number of Terminals	28
Number of Words	8192 words	Number of Words Code	8000
Operating Mode	ASYNCHRONOUS	Operating Temperature-Max	70 °C
Operating Temperature-Min		Organization	8KX8
Parallel/Serial	PARALLEL	Qualification Status	Not Qualified
Standby Current-Max	0.005 A	Supply Current-Max	0.075 mA
Supply Voltage-Max (Vsup)	5.5 V	Supply Voltage-Min (Vsup)	4.5 V
Supply Voltage-Nom (Vsup)	5 V	Surface Mount	NO
Technology	CMOS	Temperature Grade	COMMERCIAL
Terminal Finish	Tin/Lead (Sn/Pb)	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Pitch	2.54 mm	Terminal Position	DUAL

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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