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Siehe Technische Spezifikationen

DTC023EEBTL +BOM

Tape and Reel Packaged Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

DTC023EEBTL
Datenblatt:

DTC023EEBTL Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max):

100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50 V
Resistor - Base (R1):

2.2 kOhms
EDA/CAD Modelle:

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DTC023EEBTL Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single, Pre-Biased Bipolar Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V	Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	2.2 kOhms	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 20mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	200mV @ 1mA, 10mA	Current - Collector Cutoff (Max)	-
Frequency - Transition	250 MHz	Power - Max	150 mW
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	DTC023
Product Category:	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration:	Single
Transistor Polarity:	NPN	Typical Input Resistor:	2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio:	1	Mounting Style:	SMD/SMT
DC Collector/Base Gain hfe Min:	20	Maximum Operating Frequency:	250 MHz
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	50 V	Continuous Collector Current:	100 mA
Peak DC Collector Current:	100 mA	Pd - Power Dissipation:	150 mW
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Series:	DTC023EEB
Packaging:	MouseReel	Channel Mode:	Enhancement
Maximum DC Collector Current:	100 mA	Output Voltage:	80 mV
Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	Transistors	Part # Aliases:	DTC023EEB

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