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Siehe Technische Spezifikationen

DTD113ZKT146 +BOM

SMT Transistor NPN Bipolar Junction

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

DTD113ZKT146
Datenblatt:

DTD113ZKT146 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max):

500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50 V
Resistor - Base (R1):

1 kOhms
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DTD113ZKT146 Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SMT3

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single, Pre-Biased Bipolar Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Current - Collector (Ic) (Max)	500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V	Resistor - Base (R1)	1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	82 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA	Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Frequency - Transition	200 MHz	Power - Max	200 mW
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	DTD113

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Bewertungen und Rezensionen

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C**n 08.13.2023

Order from august 26 received on september 12. 8 different positions are packed in carton box. In the work has not yet checked... The board is packed in an antistatic bag ..

E**a 03.01.2023

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T**r 08.23.2020

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