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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

DTC113ZUA +BOM

Streamlined design and reduced component count simplify circuit development processes

Hersteller:

Yangjie Technology
Herstellerteil #:

DTC113ZUA
Datenblatt:

DTC113ZUA Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN - Pre-Biased + Diode
Current - Collector (Ic) (Max):

100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50 V
Resistor - Base (R1):

1 kOhms
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an DTC113ZUA

Hauptmerkmale

DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 10

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Transistor Type	NPN - Pre-Biased + Diode	Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V	Resistor - Base (R1)	1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	-	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	33 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA	Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Frequency - Transition	250 MHz	Power - Max	200 mW
Mounting Type	Surface Mount

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