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Siehe Technische Spezifikationen

DTC143ZU3T106 +BOM

Versatile and efficient, this 50V 100mA digital BJT is perfect for modern electronics projects

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

DTC143ZU3T106
Datenblatt:

DTC143ZU3T106 Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Typical Input Resistor:

4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio:

10
EDA/CAD Modelle:

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DTC143ZU3T106 Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Typical Input Resistor	4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio	10	Mounting Style	SMD/SMT
DC Collector/Base Gain hfe Min	80	Maximum Operating Frequency	250 MHz
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Continuous Collector Current	100 mA
Peak DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	200 mW
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Channel Mode	Enhancement
Maximum DC Collector Current	100 mA	Output Voltage	100 mV
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Part # Aliases	DTC143ZU3
Unit Weight	0.002519 oz

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