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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

EDB8064B1PB-8D-F +BOM

This advanced SRAM solution delivers exceptional speed, reliability, and power efficiency for modern computing needs

Hersteller:

MICRON TECHNOLOGY INC
Herstellerteil #:

EDB8064B1PB-8D-F
Datenblatt:

EDB8064B1PB-8D-F Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8542.32.00.36
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an EDB8064B1PB-8D-F

Hauptmerkmale

Surge overload rating - 30 amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing molded
Glass passivated device
Polarity symbols molded on body
Mounting position: Any
Weight: 1.0 gram
Good for automatic insertion

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.36
Access Mode	MULTI BANK PAGE BURST	Additional Feature	AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOMINAL SUPPLY
JESD-30 Code	S-PBGA-B216	Length	12 mm
Memory Density	8589934592 bit	Memory IC Type	DDR DRAM
Memory Width	32	Number of Functions	1
Number of Ports	1	Number of Terminals	216
Number of Words	268435456 words	Number of Words Code	256000000
Operating Mode	SYNCHRONOUS	Organization	256MX32
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Seated Height-Max	1 mm
Self Refresh	YES	Supply Voltage-Max (Vsup)	1.3 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	1.14 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.2 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Terminal Form	BALL	Terminal Pitch	0.4 mm
Terminal Position	BOTTOM	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Width	12 mm

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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