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Siehe Technische Spezifikationen

EDJ2116DEBG-GN-F +BOM

DDR DRAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96,

Hersteller:

MICRON TECHNOLOGY INC
Herstellerteil #:

EDJ2116DEBG-GN-F
Datenblatt:

EDJ2116DEBG-GN-F Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8542.32.00.36
Access Time-Max:

0.225 ns
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an EDJ2116DEBG-GN-F

Hauptmerkmale

Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
TrenchFET® Power MOSFET
New Thermally Enhanced PowerPAK® SC-70 Package
- Small Footprint Area
Typical ESD Performance 2500 V HBM
100 % Rg and UIS Tested
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.36
Access Time-Max	0.225 ns	Clock Frequency-Max (fCLK)	800 MHz
I/O Type	COMMON	Interleaved Burst Length	4,8
JESD-30 Code	R-PBGA-B96	Memory Density	2147483648 bit
Memory IC Type	DDR DRAM	Memory Width	16
Number of Terminals	96	Number of Words	134217728 words
Number of Words Code	128000000	Operating Temperature-Max	85 °C
Operating Temperature-Min		Organization	128MX16
Output Characteristics	3-STATE	Power Supplies	1.5 V
Qualification Status	Not Qualified	Refresh Cycles	8192
Sequential Burst Length	4,8	Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.5 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	OTHER	Terminal Form	BALL
Terminal Pitch	0.8 mm	Terminal Position	BOTTOM

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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