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IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 1200 V 100 A Chassis Mount AG-EASY2B-2
IGBTHersteller:
Herstellerteil #:
F3L11MR12W2M1B74BOMA1
Datenblatt:
RHoS:
yes
PBFree:
yes
HalogenFree:
no
Product:
IGBT Silicon Carbide Modules
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IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 1200 V 100 A Chassis Mount AG-EASY2B-2
RHoS | yes | PBFree | yes |
HalogenFree | no | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
Product | IGBT Silicon Carbide Modules | Type | CoolSiC MOSFET |
Technology | SiC | Vf - Forward Voltage | 4.6 V |
Vr - Reverse Voltage | 1.2 kV | Vgs - Gate-Source Voltage | - 10 V, 20 V |
Mounting Style | Press Fit | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Configuration | 3-Phase |
Fall Time | 18.5 ns | Id - Continuous Drain Current | 100 A |
Operating Supply Voltage | - | Pd - Power Dissipation | 20 mW (1/50 W) |
Product Type | Discrete Semiconductor Modules | Rds On - Drain-Source Resistance | 11.3 mOhms |
Rise Time | 23.4 ns | Factory Pack Quantity | 15 |
Subcategory | Discrete Semiconductor Modules | Transistor Polarity | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 82.9 ns | Typical Turn-On Delay Time | 26.7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5.55 V |
Part # Aliases | F3L11MR12W2M1_B74 SP005408206 |
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1+ | - | - |
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