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Siehe Technische Spezifikationen

FS14SM-16A +BOM

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 800V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Hersteller:

MITSUBISHI
Herstellerteil #:

FS14SM-16A
Datenblatt:

FS14SM-16A Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

DRAIN
Configuration:

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelle:

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FS14SM-16A Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 800V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	800 V
Drain Current-Max (ID)	14 A	Drain-source On Resistance-Max	0.7 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	275 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	42 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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