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FS900R08A2P2B32BOSA1 +BOM

IGBT Module Three Phase Inverter 750 V 550 A 1546 W Chassis Mount AG-HYBRID2-1

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FS900R08A2P2B32BOSA1
Datenblatt:

FS900R08A2P2B32BOSA1 Datenblatt (PDF)
Series:

HybridPACK™ 2
Configuration:

Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

750 V
Current - Collector (Ic) (Max):

550 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FS900R08A2P2B32BOSA1

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FS900R08A2P2B32BOSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Three Phase Inverter 750 V 550 A 1546 W Chassis Mount AG-HYBRID2-1

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

V
CEsat
Low V
CEsat
Low switching losses
Low Qg and Cres
Low inductive design
T
vj>
Short-time extended operation temperature T
2.5 kV AC 1min insulation
Direct cooled base plate
High power density
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
Isolated base plate
RoHS compliant

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	HybridPACK™ 2
IGBT Type	-	Configuration	Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	750 V	Current - Collector (Ic) (Max)	550 A
Power - Max	1546 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.25V @ 15V, 550A
Current - Collector Cutoff (Max)	500 µA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	105 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	Yes
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	FS900R08	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	no

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