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Siehe Technische Spezifikationen

G3R20MT17K +BOM

G3R20MT17K High-Power MOSFET

Hersteller:

GeneSiC Semiconductor
Herstellerteil #:

G3R20MT17K
Datenblatt:

G3R20MT17K Datenblatt (PDF)
Series:

G3R™
FET Type:

N-Channel
Technology:

SiCFET (Silicon Carbide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

1700 V
EDA/CAD Modelle:

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G3R20MT17K Allgemeine Beschreibung

N-Channel 1700 V 124A (Tc) 809W (Tc) Through Hole TO-247-4

Spezifikationen

Series	G3R™	FET Type	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	1700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	124A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 75A, 15V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 15mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	400 nC @ 15 V	Vgs (Max)	±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10187 pF @ 1000 V	Power Dissipation (Max)	809W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	G3R20

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