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Siehe Technische Spezifikationen

G2R1000MT33J +BOM

This TO-263-7 surface mount component can handle up to 4A of current and dissipate 74W of power

Hersteller:

GeneSiC Semiconductor
Herstellerteil #:

G2R1000MT33J
Datenblatt:

G2R1000MT33J Datenblatt (PDF)
Series:

G2R™
FET Type:

N-Channel
Technology:

SiCFET (Silicon Carbide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

3300 V
EDA/CAD Modelle:

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G2R1000MT33J Allgemeine Beschreibung

N-Channel 3300 V 4A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Spezifikationen

Series	G2R™	FET Type	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	3300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2A, 20V	Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 20 V	Vgs (Max)	+20V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	238 pF @ 1000 V	Power Dissipation (Max)	74W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	G2R1000

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