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H5TQ2G63DFR-11C +BOM

Hauptmerkmale

VDD=VDDQ=1.5V +/- 0.075V

Fully differential clock inputs (CK, CK) operation

Differential Data Strobe (DQS, DQS)

On chip DLL align DQ, DQS and DQS transition with CK

transition

DM masks write data-in at the both rising and falling

edges of the data strobe

All addresses and control inputs except data,

data strobes and data masks latched on the

rising edges of the clock

Programmable CAS latency 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13

and 14 supported

Programmable additive latency 0, CL-1, and CL-2

supported

Programmable CAS Write latency (CWL) = 5, 6, 7, 8, 9, 10

Programmable burst length 4/8 with both nibble

sequential and interleave mode

BL switch on the fly

8banks

Average Refresh Cycle (Tcase of0 oC~ 95oC)

- 7.8 s at 0oC ~ 85 oC

- 3.9 s at 85oC ~ 95 oC

JEDEC standard 78ball FBGA(x4/x8)

Driver strength selected by EMRS

Dynamic On Die Termination supported

Asynchronous RESET pin supported

ZQ calibration supported

TDQS (Termination Data Strobe) supported (x8 only)

Write Levelization supported

8 bit pre-fetch

This product in compliance with the RoHS directive.

Spezifikationen

Product Category Memory ICs

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

Garantie Garantie
365 Tage Produktqualitätsgarantie

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