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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IHW30N135R3 +BOM

The IHW30N135R3 IGBT transistor combines high power capability with the innovative TrenchStop RC design for enhanced efficiency and durability

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IHW30N135R3
Datenblatt:

IHW30N135R3 Datenblatt (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1350 V
Current - Collector (Ic) (Max):

60 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

90 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IHW30N135R3

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IHW30N135R3 Allgemeine Beschreibung

Infineon IHW30N135R3, IGBT Transistor, 30 A Dual 1350 V, 3-Pin PG-TO-247

Hauptmerkmale

Offers new higher breakdown voltage to 1350V for improved
reliability
Powerful monolithic body diode with low forward voltage
designed for soft commutation only
TRENCHSTOPTM technology offering:
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- low VCEsat
- easy parallel switching capability due to positive
temperature coefficient in VCEsat
Low EMI
Qualified according to JESD-022 for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Halogen-free (according to IEC 61249-2-21)
Complete product spectrum and PSpice Models:
http://www.infineon.com/diode/

Spezifikationen

IGBT Type	Trench Field Stop	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1350 V
Current - Collector (Ic) (Max)	60 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.85V @ 15V, 30A	Power - Max	349 W
Switching Energy	1.93mJ (off)	Input Type	Standard
Gate Charge	263 nC	Td (on/off) @ 25°C	-/337ns
Test Condition	600V, 30A, 10Ohm, 15V	Reverse Recovery Time (trr)	-
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.35 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.65 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	60 A
Pd - Power Dissipation	349 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	RC
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Part # Aliases	IHW3N135R3XK SP000989496 IHW30N135R3FKSA1
Unit Weight	0.211644 oz

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