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Siehe Technische Spezifikationen

IKW20N60TFKSA1 +BOM

High-performance power module for efficient motor control applications

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IKW20N60TFKSA1
Datenblatt:

IKW20N60TFKSA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IKW20N60TFKSA1

IKW20N60TFKSA1 Allgemeine Beschreibung

The IKW20N60TFKSA1 power module is housed in a compact and rugged package, complete with a heat sink for efficient thermal management. This design allows for high power density and reliable operation in demanding environments. Equipped with integrated gate drivers and protection features such as overcurrent and overtemperature protection, the IKW20N60TFKSA1 ensures safe and reliable operation under various operating conditions, making it an ideal choice for industrial and automotive systems

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	41 A
Pd - Power Dissipation	166 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	Trenchstop IGBT3
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Part # Aliases	IKW20N60T SP000054886
Unit Weight	0.156264 oz

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