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Siehe Technische Spezifikationen

IKW40N120T2FKSA1 +BOM

TO-247-3 IGBTs (ROHS) - IKW40N120T2FKSA1

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IKW40N120T2FKSA1
Datenblatt:

IKW40N120T2FKSA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IKW40N120T2FKSA1

IKW40N120T2FKSA1 Allgemeine Beschreibung

Delivering exceptional performance, the IKW40N120T2FKSA1 IGBT module from Infineon Technologies is a standout in the EasyPACK 2B series. With a voltage rating of 1200V and a current rating of 40A, this module is the ideal choice for high-power applications like motor control, renewable energy systems, and industrial drives. Its cutting-edge IGBT technology ensures minimal conduction and switching losses, resulting in efficient power conversion. Additionally, the module incorporates a built-in thermistor for temperature monitoring and protection, prioritizing safety and reliability. Its compact, durable housing, along with integrated press-fit pins, facilitates easy and secure mounting, while the pre-applied thermal interface material guarantees reliable thermal performance

Anwendung

POWER CONTROL

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.75 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	75 A
Pd - Power Dissipation	480 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	Trenchstop IGBT2
Gate-Emitter Leakage Current	200 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Part # Aliases	IKW40N120T2 SP000244962
Unit Weight	0.191185 oz

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