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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IR2118S +BOM

High-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC

Hersteller:

IR
Herstellerteil #:

IR2118S
Datenblatt:

IR2118S Datenblatt (PDF)
Input Vcc Max:

20.0 V
Input Vcc Min:

10.0 V
Configuration:

High-side
Isolation Type:

Functional levelshift
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IR2118S

IR2118S Allgemeine Beschreibung

600 V High Side Driver IC with typical 0.25 A source and 0.5 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.

Hauptmerkmale

Floating channel designed for bootstrap operation Fully operational to +600V Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
Gate drive supply range from 10 to 20V
Undervoltage lockout
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
Output in phase with input (IR2117) or out of phase with input (IR2118)
Also available LEAD-FREE

Spezifikationen

Input Vcc max	20.0 V	Input Vcc min	10.0 V
Configuration	High-side	Isolation Type	Functional levelshift

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