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Siehe Technische Spezifikationen

IRF730 +BOM

5.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

IRF730
Datenblatt:

IRF730 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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IRF730 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

Hauptmerkmale

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

Fast switching

Ease of paralleling

Simple drive requirements

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	400 V
Id - Continuous Drain Current	5.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	1 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	75 W
Channel Mode	Enhancement	Series	IRF730
Configuration	Single	Fall Time	15 ns
Height	16.3 mm	Length	10.67 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	20 ns
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	35 ns	Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Width	4.7 mm	Unit Weight	0.068784 oz

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