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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRFB4115 +BOM

Enhanced gate and dynamic dv/dt ruggedness for improved efficiency

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRFB4115
Datenblatt:

IRFB4115 Datenblatt (PDF)
Polarity:

N
RthJC Max:

0.4 K/W
Tj Max:

175.0 °C
VDS Max:

150.0 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRFB4115

IRFB4115 Allgemeine Beschreibung

Meet the IRFB4115, the power MOSFET that's built to tackle the toughest challenges in low frequency applications. Designed for optimal performance and reliability, this device is a go-to solution for projects involving DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. With its low RDS(on) and high current capability, the IRFB4115 delivers the power and efficiency needed to keep your designs running smoothly

Spezifikationen

Polarity	N	RthJC max	0.4 K/W
Tj max	175.0 °C	VDS max	150.0 V
Mounting	THT	Ptot max	380.0 W
VGS max	20.0 V	RDS (on) max	11.0 mΩ
VGS(th) max	5.0 V	VGS(th) min	3.0 V
ID max	104.0 A	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

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