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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRFP4468 +BOM

N-channel field effect transistor with 195A/100V capabilities

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRFP4468
Datenblatt:

IRFP4468 Datenblatt (PDF)
Mounting:

THT
Polarity:

N
Ptot Max:

520.0 W
RthJC Max:

0.29 K/W
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRFP4468

IRFP4468 Allgemeine Beschreibung

With the IRFP4468, you can take your low frequency applications to the next level. This powerhouse MOSFET boasts a low RDS(on) and high current capability, making it a go-to choice for a variety of projects. From DC motors to battery management systems, the IRFP4468 delivers the performance and ruggedness you need. Its comprehensive portfolio ensures that you have the right tool for every job, whether you're working on inverters or DC-DC converters. Trust in the IRFP4468 to provide the power and efficiency required for your most demanding applications

Spezifikationen

Mounting	THT	Polarity	N
Ptot max	520.0 W	RthJC max	0.29 K/W
Tj max	175.0 °C	VDS max	100.0 V
VGS max	20.0 V	RDS (on) max	2.6 mΩ
VGS(th) max	4.0 V	VGS(th) min	2.0 V
ID max	290.0 A	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

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