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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRFP460 +BOM

MOSFET Transistor, N-Channel, TO-247AC

Hersteller:

Stmicroelectronics
Herstellerteil #:

IRFP460
Datenblatt:

IRFP460 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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IRFP460 Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

Hauptmerkmale

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

Isolated central mounting hole

Fast switching

Ease of paralleling

Simple drive requirements

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Id - Continuous Drain Current	20 A	Rds On - Drain-Source Resistance	220 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	220 W
Channel Mode	Enhancement	Series	IRFP460
Configuration	Single	Fall Time	21 ns
Forward Transconductance - Min	13 S	Height	20.15 mm
Length	15.75 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	21 ns	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-On Delay Time	29 ns
Width	5.15 mm	Unit Weight	0.211644 oz

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