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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRFP4668 +BOM

Reliable TO-247 package design for efficient heat dissipation and long-lasting performance

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRFP4668
Datenblatt:

IRFP4668 Datenblatt (PDF)
Mounting:

THT
Tj Max:

175.0 °C
Polarity:

N
Ptot Max:

520.0 W
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRFP4668

IRFP4668 Allgemeine Beschreibung

Boasting a comprehensive portfolio, the StrongIRFET™ power MOSFET family addresses a wide range of applications where reliability and efficiency are key. The IRFP4668 model stands out for its ability to handle high currents with minimal resistance, making it suitable for demanding tasks that require both power and durability

Spezifikationen

Mounting	THT	Tj max	175.0 °C
Polarity	N	Ptot max	520.0 W
RthJC max	0.29 K/W	VDS max	200.0 V
VGS max	30.0 V	RDS (on) max	9.7 mΩ
VGS(th) max	5.0 V	VGS(th) min	3.0 V
ID max	130.0 A	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C	Battery voltage	96-140 V

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