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Siehe Technische Spezifikationen

ISC027N10NM6ATMA1 +BOM

ISC027N10NM6ATMA1: Trench MOSFET for High Voltage Applications

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

ISC027N10NM6ATMA1
Datenblatt:

ISC027N10NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ISC027N10NM6ATMA1

ISC027N10NM6ATMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 23A (Ta), 192A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	192 A	Rds On - Drain-Source Resistance	2.7 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.3 V
Qg - Gate Charge	58 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	217 W
Channel Mode	Enhancement	Series	ISC027N10
Product	MOSFET	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Part # Aliases	ISC027N10NM6 SP005339566

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