Bezahlverfahren
IXBA16N170AHV +BOM
50W 16A 1.7kV TO-263 IGBTs
TO-263-3,D²Pak(2Leads+Tab),TO-263AB-
Hersteller:
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Herstellerteil #:
IXBA16N170AHV
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Datenblatt:
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Series:
BIMOSFET™
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
1700 V
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Current - Collector (Ic) (Max):
16 A
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Current - Collector Pulsed (Icm):
40 A
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EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 6693 Stck
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IXBA16N170AHV Allgemeine Beschreibung
Additionally, the built-in intrinsic body diode acts as a protective measure, creating an alternative path for inductive load current during device turn-off. This effectively prevents high voltage transients caused by high Ldi/dt from causing damage to the device, ensuring long-term durability and stability in operation
Hauptmerkmale
- Larger current handling capabilities
- Faster rise and fall times
- Higher surge immunity ratings
- Easier thermal management
- Simplified system design process
Anwendung
- Advanced radar technology
- High voltage applications
- Laser power supplies
Spezifikationen
Series | BIMOSFET™ | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 16 A | Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 6V @ 15V, 10A | Power - Max | 150 W |
Switching Energy | 2.5mJ (off) | Input Type | Standard |
Gate Charge | 65 nC | Td (on/off) @ 25°C | 15ns/250ns |
Test Condition | 1360V, 10A, 10Ohm, 15V | Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | IXBA16 |
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