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Siehe Technische Spezifikationen

IXBH12N300 +BOM

IXBH12N300 is a high-power IGBT chip for industrial applications

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXBH12N300
Datenblatt:

IXBH12N300 Datenblatt (PDF)
Series:

BIMOSFET™
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

3000 V
Current - Collector (Ic) (Max):

30 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

100 A
EDA/CAD Modelle:

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IXBH12N300 Allgemeine Beschreibung

One key feature of the IXBH12N300 BiMOSFET is its ability to be used in parallel operations, thanks to the positive voltage temperature coefficient of its saturation voltage and forward voltage drop of its intrinsic diode. This unique characteristic makes it an ideal choice for demanding applications that require reliable and efficient power management

Hauptmerkmale

Efficient heat dissipation
Low noise operation
Rapid transient response
Compact footprint

Anwendung

Advanced power solutions
UPS for critical systems
X-ray generation

Spezifikationen

Series	BIMOSFET™	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	3000 V
Current - Collector (Ic) (Max)	30 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	100 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 12A	Power - Max	160 W
Input Type	Standard	Gate Charge	62 nC
Reverse Recovery Time (trr)	1.4 µs	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	IXBH12

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