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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IXBX64N250 +BOM

2500V 64A Gate Drivers IXBX64N250

Hersteller:

Littelfuse Inc
Herstellerteil #:

IXBX64N250
Datenblatt:

IXBX64N250 Datenblatt (PDF)
Feature-pin-count:

3
Feature-cecc-qualified:

No
Feature-military:

No
Feature-aec-qualified:

No
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXBX64N250

IXBX64N250 Allgemeine Beschreibung

Discover the groundbreaking IXBX64N250, a BiMOSFET device that combines the advantages of MOSFETs and IGBTs. Through non-epitaxial construction and innovative fabrication processes, these high voltage devices have become a resounding success. With their positive voltage temperature coefficient, they are exceptionally well-suited for parallel operation, while the free intrinsic body diode acts as a protective measure by providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, effectively preventing damage from high Ldi/dt voltage transients

Hauptmerkmale

Simplified design
High reliability
Compact size

Anwendung

High voltage circuits
Power supply solutions
Advanced UPS systems

Spezifikationen

feature-packaging		feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc	Yes
feature-svhc-exceeds-threshold	Yes

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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