Bezahlverfahren
IXEN60N120
IGBT Transistors 60 Amps 1200V
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Hersteller:
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Herstellerteil #:
IXEN60N120
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Datenblatt:
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IGBT Type:
NPT
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Configuration:
Single
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
1200 V
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Current - Collector (Ic) (Max):
100 A
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EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 7068 Stck
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IXEN60N120 Allgemeine Beschreibung
IGBT Module NPT Single 1200 V 100 A 445 W Chassis Mount SOT-227B
Spezifikationen
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules | Series | - |
IGBT Type | NPT | Configuration | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
Power - Max | 445 W | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 60A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 800 µA | Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.8 nF @ 25 V |
Input | Standard | NTC Thermistor | No |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Chassis Mount |
Base Product Number | IXEN60 | Product Category: | IGBT Transistors |
Technology: | Si | Mounting Style: | SMD/SMT |
Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature: | - 40 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Packaging: | Tube | Continuous Collector Current: | 100 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 100 A | Height: | 9.6 mm |
Length: | 38.2 mm | Product Type: | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity: | 10 | Subcategory: | IGBTs |
Width: | 25.07 mm | Unit Weight: | 1.058219 oz |
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Verfügbarkeit: 7068 PCS
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