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IXEN60N120

IGBT Transistors 60 Amps 1200V

IXEN60N120 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module NPT Single 1200 V 100 A 445 W Chassis Mount SOT-227B

Spezifikationen

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules Series -
IGBT Type NPT Configuration Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V Current - Collector (Ic) (Max) 100 A
Power - Max 445 W Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 60A
Current - Collector Cutoff (Max) 800 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.8 nF @ 25 V
Input Standard NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Chassis Mount
Base Product Number IXEN60 Product Category: IGBT Transistors
Technology: Si Mounting Style: SMD/SMT
Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.1 V Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature: - 40 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Packaging: Tube Continuous Collector Current: 100 A
Continuous Collector Current Ic Max: 100 A Height: 9.6 mm
Length: 38.2 mm Product Type: IGBT Transistors
Factory Pack Quantity: 10 Subcategory: IGBTs
Width: 25.07 mm Unit Weight: 1.058219 oz

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N**h 03.26.2024

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