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IXFN26N90 +BOM

IXFN26N90 SOT-227B MOSFETs ROHS

IXFN26N90 Allgemeine Beschreibung

The N-Channel HiPerFET™ Standard series stands out in the realm of Power MOSFETs, offering top-notch performance for demanding applications. Whether you need to handle hard switching tasks or operate in resonant mode, these MOSFETs deliver low gate charge and superior ruggedness. The fast intrinsic diode ensures quick response times, while the availability of isolated package options adds to their versatility. Designed to meet industrial standards, the HiPerFET™ Standard series is a reliable choice for engineers looking to optimize power efficiency in their projects

Hauptmerkmale

  • High-Speed Switching
  • Rapid Charging Capabilities
  • Low Voltage Drop-Off

Anwendung

  • Improved energy efficiency
  • Enhanced power management
  • Versatile applications

Spezifikationen

Drain-Source Voltage (V) 900 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.3
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 26 Gate Charge (nC) 240
Input Capacitance, CISS (pF) 8700 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.21
Configuration Single Power Dissipation (W) 600
Maximum Reverse Recovery (ns) 250 Sample Request No

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