Bezahlverfahren
IXGH20N60AU1 +BOM
MOSFET for high power switching applications
TO-247-3-
Hersteller:
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Herstellerteil #:
IXGH20N60AU1
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Datenblatt:
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
600 V
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Current - Collector (Ic) (Max):
40 A
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Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
3V @ 15V, 20A
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Power - Max:
150 W
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EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 4907 Stck
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IXGH20N60AU1 Allgemeine Beschreibung
Thermal management is crucial for the longevity of electronic devices, and the IXGH20N60AU1 doesn't disappoint with its built-in temperature sensor. This sensor provides real-time feedback to the system, enabling effective thermal management to prevent overheating and ensure the device's reliability over the long term. With the IXGH20N60AU1, you can trust that your high power switching applications will run smoothly and efficiently
Spezifikationen
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs | Series | - |
IGBT Type | - | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 20A |
Power - Max | 150 W | Switching Energy | - |
Input Type | Standard | Td (on/off) @ 25°C | - |
Test Condition | - | Operating Temperature | - |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | IXGH20 |
Mount | Through Hole | Collector Emitter Breakdown Voltage | 600 V |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 3 V | Max Collector Current | 40 A |
Max Power Dissipation | 150 W |
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