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Siehe Technische Spezifikationen

IXGH24N60CD1 +BOM

IGBT Transistors with a Current Rating of 48 Amps and Voltage Rating of 600V

Hersteller:

IXYS Corporation
Herstellerteil #:

IXGH24N60CD1
Datenblatt:

IXGH24N60CD1 Datenblatt (PDF)
Series:

HiPerFAST™, Lightspeed™
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

600 V
Current - Collector (Ic) (Max):

48 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

80 A
EDA/CAD Modelle:

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IXGH24N60CD1 Allgemeine Beschreibung

A standout feature of the IXGH24N60CD1 lies in its swift switching speed of 100ns, setting the stage for seamless integration into high-frequency switching applications. This rapid response time not only enhances operational efficiency but also ensures precise control over power management, catering to the stringent demands of modern-day industrial and commercial ventures

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	HiPerFAST™, Lightspeed™
IGBT Type	-	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Current - Collector (Ic) (Max)	48 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	80 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 24A	Power - Max	150 W
Switching Energy	240µJ (off)	Input Type	Standard
Gate Charge	55 nC	Td (on/off) @ 25°C	15ns/75ns
Test Condition	480V, 24A, 10Ohm, 15V	Reverse Recovery Time (trr)	25 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IXGH24	Product Category:	IGBT Transistors
Technology:	Si	Mounting Style:	Through Hole
Configuration:	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Series:	IXGH24N60
Packaging:	Tube	Continuous Collector Current Ic Max:	48 A
Height:	21.46 mm	Length:	16.26 mm
Product Type:	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity:	30
Subcategory:	IGBTs	Width:	5.3 mm
Unit Weight:	0.229281 oz

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