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IXGH32N60BU1 TO-247-3

IXGH32N60BU1 TO-247-3

IXGH32N60BU1 TO-247-3

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IXGH32N60BU1 +BOM

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

Hersteller:

IXYS Corporation
Herstellerteil #:

IXGH32N60BU1
Datenblatt:

IXGH32N60BU1 Datenblatt (PDF)
Mount:

Through Hole
Number Of Pins:

3
Weight:

6.500007 g
Collector Emitter Breakdown Voltage:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXGH32N60BU1

email

Email: [email protected]

skype

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel

Tel: +852 95804164

IXGH32N60BU1 Allgemeine Beschreibung

Featuring a robust TO-247AD housing, the IXGH32N60BU1 IGBT delivers reliable performance with a collector-emitter breakdown voltage of 600V and a low saturation voltage of 2.3V. Its fast current release time of 80ns ensures precise control in dynamic systems, while the high power dissipation rating of 200W allows for sustained operation under demanding conditions

ixgh32n60bu1

ixgh32n60bu1

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ixgh32n60bu1

ixgh32n60bu1

Spezifikationen

Mount	Through Hole	Number of Pins	3
Weight	6.500007 g	Collector Emitter Breakdown Voltage	600 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)	600 V	Current Rating	60 A
Element Configuration	Single	Max Collector Current	60 A
Max Operating Temperature	150 °C	Max Power Dissipation	200 W
Min Operating Temperature	-55 °C	Packaging	Bulk
Reverse Recovery Time	50 ns	Rise Time	20 ns
Turn-Off Delay Time	100 ns	Turn-On Delay Time	25 ns
Voltage Rating (DC)	600 V

Servicerichtlinien und andere

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Bewertungen und Rezensionen

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M

M**n 02.22.2022

There is a suspicion that the postman was walking to novosibirsk. the batteries came for a month, and the indicators are forty-five days. checked. Everything is fine, everything works.

2

Rezensionen

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Minimum Order: 1

Menge.	Einzelpreis	Ext. Preis
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