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IXGN60N60 SOT-227B-4

IXGN60N60 SOT-227B-4

IXGN60N60 SOT-227B-4

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IXGN60N60 +BOM

Reliable performance and excellent thermal management capabilities make this transistor a top choice for demanding power electronic

Hersteller:

Ixys
Herstellerteil #:

IXGN60N60
Datenblatt:

IXGN60N60 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Configuration:

Single Dual Emitter
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXGN60N60

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IXGN60N60 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module PT Single 600 V 100 A 250 W Chassis Mount SOT-227B

ixgn60n60

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Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single Dual Emitter
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Pd - Power Dissipation	250 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current	100 A	Continuous Collector Current Ic Max	100 A
Gate-Emitter Leakage Current	+/- 100 nA	Height	9.6 mm
Length	38.23 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	10	Subcategory	IGBTs
Width	25.42 mm	Unit Weight	1.058219 oz

Servicerichtlinien und andere

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L

L**n 09.08.2021

Got one n, another nd until put, like not soldering

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