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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IXKR25N80C +BOM

25 amp 800 volt N-channel transistor with 3-pin configuration and tab connection

Hersteller:

IXYS
Herstellerteil #:

IXKR25N80C
Datenblatt:

IXKR25N80C Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

670 mJ
EDA/CAD Modelle:

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IXKR25N80C Allgemeine Beschreibung

Super Junction technology sets the IXKR25N80C Power MOSFETs apart by ensuring the lowest RDS(on) in the 600V-800V class of MOSFETs. With internal DCB isolation, these devices streamline assembly and minimize thermal resistance from junction to heat sink. Additionally, their Avalanche rating guarantees rugged operation, making them a reliable choice for various industrial applications

Hauptmerkmale

Fully modularized design
Ultra-low thermal noise
Silicon on Thin Film (SOTF)

Anwendung

Smart power supply
Energy-saving UPS
Effective PFC

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	670 mJ
Case Connection	ISOLATED	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	800 V	Drain Current-Max (ID)	25 A
Drain-source On Resistance-Max	0.15 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PSIP-T3	JESD-609 Code	e1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN SILVER COPPER	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	10
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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