Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IXSN35N100U1 +BOM

35 Amps IGBT Transistors with 1000V Voltage

Hersteller:

Ixys
Herstellerteil #:

IXSN35N100U1
Datenblatt:

IXSN35N100U1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Configuration:

Single Dual Emitter
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXSN35N100U1

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IXSN35N100U1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Single 1000 V 38 A 205 W Chassis Mount SOT-227B

Hauptmerkmale

New generation of power modules
High efficiency and low loss performance
Operable up to 150°C
Pulse width modulation and DC-DC compatible
Suitable for industrial automation applications

Anwendung

Enhanced power efficiency
Advanced control features
Reliable performance

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single Dual Emitter
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1 kV	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	IXSN35N100	Continuous Collector Current Ic Max	38 A
Height	9.6 mm	Length	38.3 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	10
Subcategory	IGBTs	Width	25.07 mm
Unit Weight	1.058219 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..