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Siehe Technische Spezifikationen

IXTN21N100 +BOM

Discrete semiconductor modules rated at 21 Amps and 100V, with a low Rds (on) value of 0.55 Ohm

Hersteller:

Ixys
Herstellerteil #:

IXTN21N100
Datenblatt:

IXTN21N100 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Vgs - Gate-Source Voltage:

- 20 V, + 20 V
Mounting Style:

Chassis Mount
Minimum Operating Temperature:

- 55 C
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IXTN21N100 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 1000 V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Hauptmerkmale

International standard packages
JEDECTO-264,epoxymeetUL94V-0 flammability classification
miniBLOC,(ISOTOP-compatible) with Aluminium nitride isolation
Low RDS (on) HDMOSTM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Low package inductance

Spezifikationen

Product Category	Discrete Semiconductor Modules	Technology	Si
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Mounting Style	Chassis Mount
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	IXTN21N100	Configuration	Single
Fall Time	40 ns	Height	9.6 mm
Id - Continuous Drain Current	21 A	Length	38.23 mm
Number of Channels	1 Channel	Pd - Power Dissipation	520 W
Product Type	Discrete Semiconductor Modules	Rds On - Drain-Source Resistance	550 mOhms
Rise Time	50 ns	Factory Pack Quantity	10
Subcategory	Discrete Semiconductor Modules	Transistor Polarity	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	100 ns	Typical Turn-On Delay Time	30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1 kV	Width	25.42 mm
Unit Weight	1.058219 oz

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