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Transistor IGBT chip designed for high power applications, capable of handling 90A current at 1200V voltage
TO-247-3Hersteller:
Herstellerteil #:
IXYH50N120C3D1
Datenblatt:
Pin Count:
3
Released Date:
Sep 6, 2022
Last Modified Date:
Mar 7, 2023 4:10 PM UTC
EDA/CAD Modelle:
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The IXYH50N120C3D1 is a top-of-the-line high voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) module that delivers unrivaled performance in industrial settings. With a robust current rating of 50A and an impressive voltage rating of 1200V, this module is a powerhouse when it comes to handling high power requirements with efficiency and reliability
Pin Count | 3 | Released Date | Sep 6, 2022 |
Last Modified Date | Mar 7, 2023 4:10 PM UTC |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $8,488 | $8,49 |
10+ | $8,115 | $81,15 |
30+ | $7,886 | $236,58 |
100+ | $7,696 | $769,60 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
Alle Stücklisten (BOM) können per E-Mail gesendet werden an
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IXGH48N60C3D1
Littelfuse
100+ $5,861
IXTQ460P2
Littelfuse
900+ $1,936
IXGH60N60C2
Littelfuse
Restricted to OEMs and CMs, no third-party involvement
IXGR48N60C3D1
Littelfuse
IXGR48N60C3D1 by IXYS SEMICONDUCTOR is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with a current rating of 56 A
IXLF19N250A
Littelfuse Inc
IGBT Transistors High Voltage IGBT 2500V; 19A
It got all right. Pretty fast.