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IGBT Transistors Disc XPT-GenX3 TO-247AD
TO-247-3Hersteller:
Herstellerteil #:
IXYH50N65C3D1
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
650 V
EDA/CAD Modelle:
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IGBT 650 V 132 A 600 W Through Hole TO-247 (IXTH)
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 650 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.73 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 132 A |
Pd - Power Dissipation | 600 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Continuous Collector Current Ic Max | 250 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | IGBTs |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
Alle Stücklisten (BOM) können per E-Mail gesendet werden an
[email protected],
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IXGH48N60C3D1
Littelfuse
100+ $5,861
IXTQ460P2
Littelfuse
900+ $1,936
IXGH60N60C2
Littelfuse
Restricted to OEMs and CMs, no third-party involvement
IXGR48N60C3D1
Littelfuse
IXGR48N60C3D1 by IXYS SEMICONDUCTOR is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with a current rating of 56 A
IXLF19N250A
Littelfuse Inc
IGBT Transistors High Voltage IGBT 2500V; 19A