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N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Chip, 1200V, 220A, 1500W, TO-264 Package
TO-264-3Hersteller:
Herstellerteil #:
IXYK120N120C3
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
1.2 kV
EDA/CAD Modelle:
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IXYK120N120C3 sets the standard for IGBT modules with its high performance and reliability. Its innovative features ensure safe and efficient operation in demanding environments, while its low power dissipation and energy-efficient design deliver cost savings and environmental benefits. The module's ability to handle high-speed switching applications makes it a versatile option for a wide range of industrial uses
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 3.2 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 240 A |
Pd - Power Dissipation | 1.5 kW | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Series | Planar |
Continuous Collector Current Ic Max | 240 A | Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 25 |
Subcategory | IGBTs | Unit Weight | 0.373904 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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Alle Stücklisten (BOM) können per E-Mail gesendet werden an
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IXGH48N60C3D1
Littelfuse
100+ $5,861
IXTQ460P2
Littelfuse
900+ $1,936
IXGH60N60C2
Littelfuse
Restricted to OEMs and CMs, no third-party involvement
IXGR48N60C3D1
Littelfuse
IXGR48N60C3D1 by IXYS SEMICONDUCTOR is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with a current rating of 56 A
IXLF19N250A
Littelfuse Inc
IGBT Transistors High Voltage IGBT 2500V; 19A
Long walked, but i was not in a hurry. It's okay.