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Siehe Technische Spezifikationen

J112_D26Z +BOM

JFET N-Channel 35 V 625 mW Through Hole TO-92-3

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

J112_D26Z
Datenblatt:

J112_D26Z Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS):

35 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):

5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id:

1 V @ 1 µA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an J112_D26Z

J112_D26Z Allgemeine Beschreibung

JFET N-Channel 35 V 625 mW Through Hole TO-92-3

Hauptmerkmale

High speed switching
High Impedance Gate
Pb-Free Packages

Anwendung

Chopper circuits

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsJFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)	35 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	5 mA @ 15 V	Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	1 V @ 1 µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-	Resistance - RDS(On)	50 Ohms
Power - Max	625 mW	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	J112
Status	Active	CAD Models
Compliance	PbAHP	Case Outline	135AR
MSL Type	NA	MSL Temp (°C)	0
Container Type	REEL	Container Qty.	2000
ON Target	Y	Channel Polarity	N-Channel
IDSS Min (µA)	5000	IDSS Max (µA)	-
V(BR)GSS Min (V)	35	Ciss Max (pF)	-
Crss Max (pF)	-	Pricing ($/Unit)	$0.0825Sample
feature-material		feature-channel-type	N
feature-configuration	Single	feature-maximum-drain-source-voltage-v
feature-maximum-gate-source-voltage-v	-35	feature-maximum-drain-gate-voltage-v	35
feature-maximum-continuous-drain-current-ma		feature-maximum-power-dissipation-mw	625
feature-packaging	Tape and Reel	feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc	No
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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