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Siehe Technische Spezifikationen

K6X4008C1F-GF55 +BOM

512KX8 SRAM, 55ns, CMOS, Plastic SOP-32

Hersteller:

Samsung Semiconductor
Herstellerteil #:

K6X4008C1F-GF55
Datenblatt:

K6X4008C1F-GF55 Datenblatt (PDF)
Memory Size:

512K (32K x 16)
Access Time:

55ns
Operating Voltage:

4.5V to 5.5V
Operating Temperature:

0°C to 70°C
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an K6X4008C1F-GF55

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

K6X4008C1F-GF55 Allgemeine Beschreibung

The K6X4008C1F-GF55 is a CMOS static RAM with a storage capacity of 512 kilobits (512K) organized as 64,536 words of 8 bits each. It operates at low voltage and low power consumption, making it suitable for various applications in electronics.

Hauptmerkmale

Organization: 512K x 8 bits
Operating Voltage: 2.7V to 3.6V
Operating Current: Maximum 10mA
Access Time: 55ns (nanoseconds)
Low standby current
Multiple power-saving modes
Latch-up protection
Industrial temperature range

Anwendung

Embedded systems
Consumer electronics
Networking equipment
Industrial control systems
Portable devices
Automotive electronics

Spezifikationen

Product Name	K6X4008C1F-GF55	Product Type	Static Random-Access Memory (SRAM) Chip
Memory Size	512K (32K x 16)	Access Time	55ns
Operating Voltage	4.5V to 5.5V	Operating Temperature	0°C to 70°C
Mounting Type	Surface Mount	Packaging	Tube

K6X4008C1F-GF55 Gleichwertige Teile

Sie können diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:

Artikelnummer

Auf Lager

Paket

Beschreibung

Artikelnummer: AS6C4008-55SIN

Auf Lager: 2.121

Paket: SOJ

Beschreibung: A 512K x 8 CMOS SRAM with similar features, available in a SOJ package.

Artikelnummer: CY62157EV30LL-45ZSXI

Auf Lager: 7.767

Paket: 44-TSOP

Beschreibung: A 256K x 16 low-power SRAM, available in a 44-TSOP package.

Artikelnummer: IS62WV51216BLL-55BLI

Auf Lager: 2.665

Paket: 48-TBGA

Beschreibung: A 512K x 16 CMOS SRAM, available in a 48-TBGA package.

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