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CCD Image Sensor 1024H x 1024V 24µm x 24µm 26-CDIP
26-CDIPModuleHersteller:
onsemi
Herstellerteil #:
KAF-1001-AAA-CP-B2
Datenblatt:
Type:
CCD
Pixel Size:
24µm x 24µm
Active Pixel Array:
1024H x 1024V
Voltage - Supply:
15V ~ 17.5V
EDA/CAD Modelle:
Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KAF-1001-AAA-CP-B2
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[email protected],
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EOL has been announced for this device
The KAF-1001 Image Sensor is a high-performance charge-coupled device (CCD) designed for a wide range of image sensing applications.
The sensor incorporates true two-phase CCD technology, simplifying the support circuits required to drive the sensor as well as reducing dark current without compromising charge capacity. The sensor also utilizes a Transparent Gate Electrode to improve sensitivity compared to the use of a standard front side illuminated polysilicon electrode.
Selectable on-chip output amplifiers allow operation to be optimized for different imaging needs: Low Noise (when using the high-sensitivity output) or Maximum Dynamic Range (when using the low-sensitivity output).
Series | - | Type | CCD |
Pixel Size | 24µm x 24µm | Active Pixel Array | 1024H x 1024V |
Voltage - Supply | 15V ~ 17.5V | Operating Temperature | -50°C ~ 50°C (TA) |
Base Product Number | KAF-1001 |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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STAR-1000
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Image Sensors 1.0M Pixel Rad-Hard CMOS Image Sensor
STAR-250
CYPRESS
Image Sensors 0.25M Pixel Rad-Hard CMOS Image Sensor
QRD1114
Onsemi
1.27mm Plugin Reflective Optical Interrupters ROHS
OPT101
TL/BB
Monolithic Photodiode and Single-Supply Transimpedance Amplifier
C2750
Intel Corporation
Efficiently handles complex calculations with precision accuracy