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Siehe Technische Spezifikationen

KAF-16803-ABA-DD-BA +BOM

CCD Image Sensor 4096H x 4096V 9µm x 9µm 34-CDIP

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KAF-16803-ABA-DD-BA
Datenblatt:

KAF-16803-ABA-DD-BA Datenblatt (PDF)
Type:

CCD
Pixel Size:

9µm x 9µm
Active Pixel Array:

4096H x 4096V
Voltage - Supply:

14.75V ~ 17V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KAF-16803-ABA-DD-BA

KAF-16803-ABA-DD-BA Allgemeine Beschreibung

EOL has been announced for this device

The KAF-16803 image sensor is a redesigned version of the popular KAF-16801 image sensor (4096 x 4096 pixel resolution), with enhancements that specifically target the needs of high performance digital radiography applications. Improvements include enhanced quantum efficiency for improved DQE at higher spatial frequencies, lower noise for improved contrast in areas of high density, and anti-blooming protection to prevent image bleed from over exposure in regions outside the patient.

The sensor utilizes a Transparent Gate Electrode to improve sensitivity compared to the use of a standard front side illuminated polysilicon electrode, as well as microlenses to maximize light sensitivity. When combined with large imaging area and small pixel size, the KAF-16803 provides the sensitivity, resolution and contrast necessary for high quality digital radiographs.To simplify device integration, the KAF-16803 image sensor uses the same pin-out and package as the KAF-16801E image sensor.

Hauptmerkmale

Transparent Gate Electrode for high sensitivity
High Resolution
Large Image Area
High Quantum Efficiency
Low Noise Architecture
Broad Dynamic Range

Anwendung

Medical
Scientific

Spezifikationen

Series	-	Type	CCD
Pixel Size	9µm x 9µm	Active Pixel Array	4096H x 4096V
Voltage - Supply	14.75V ~ 17V	Operating Temperature	-60°C ~ 60°C (TA)
Base Product Number	KAF-16803

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