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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

KSP42TA_Q +BOM

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KSP42TA_Q
Datenblatt:

KSP42TA_Q Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

300 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KSP42TA_Q

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen KSP42TA_Q-Treiber von onsemi an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung KSP42TA_Q.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	300 V	Collector- Base Voltage VCBO	300 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Maximum DC Collector Current	500 mA
Pd - Power Dissipation	625 mW	Gain Bandwidth Product fT	50 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current	500 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	40
Height	4.7 mm	Length	4.7 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	30000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	3.93 mm	Unit Weight	0.008466 oz

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