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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

KST42MTF_Q +BOM

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

KST42MTF_Q
Datenblatt:

KST42MTF_Q Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

300 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an KST42MTF_Q

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen KST42MTF_Q-Treiber von onsemi an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung KST42MTF_Q.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	300 V	Collector- Base Voltage VCBO	300 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Maximum DC Collector Current	500 mA
Pd - Power Dissipation	350 mW	Gain Bandwidth Product fT	50 MHz
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	40	Height	0.93 mm
Length	2.92 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	15000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.3 mm
Unit Weight	0.000282 oz

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..