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Siehe Technische Spezifikationen

KTC3198-GR A1G +BOM

Bipolar Transistors - BJT 60V, 0.15A, NPN Bipolar Transistor

Hersteller:

Taiwan Semiconductor
Herstellerteil #:

KTC3198-GR A1G
Datenblatt:

KTC3198-GR A1G Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V
EDA/CAD Modelle:

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KTC3198-GR A1G Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 80MHz 500 mW Through Hole TO-92

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	250 mV
Maximum DC Collector Current	150 mA	Pd - Power Dissipation	500 mW
Gain Bandwidth Product fT	80 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	150 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	200	DC Current Gain hFE Max	400
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	20000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Part # Aliases	KTC3198-GR	Unit Weight	0.007654 oz

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