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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TSM2309CX +BOM

P-Channel Power MOSFET with a voltage rating of -60V and current rating of -3.1A

Hersteller:

Taiwan Semiconductor
Herstellerteil #:

TSM2309CX
Datenblatt:

TSM2309CX Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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TSM2309CX Allgemeine Beschreibung

P-Channel 60 V 3.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	3.1 A	Rds On - Drain-Source Resistance	160 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V	Qg - Gate Charge	8.2 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	1.56 W	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Fall Time	10.6 ns
Forward Transconductance - Min	3.5 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	19 ns	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	35 ns
Typical Turn-On Delay Time	5.2 ns	Unit Weight	0.000282 oz

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