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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

LM5109BMA +BOM

1-A, 100-V half bridge gate driver with 8-V UVLO and high noise immunity

Hersteller:

TI
Herstellerteil #:

LM5109BMA
Datenblatt:

LM5109BMA Datenblatt (PDF)
Bus Voltage (max) (V):

90
Power Switch:

MOSFET
Input VCC (min) (V):

8
Input VCC (max) (V):

14
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an LM5109BMA

LM5109BMA Allgemeine Beschreibung

One of the key features of the LM5109BMA is its internal undervoltage lockout protection, which safeguards the MOSFET from potential damage by preventing operation outside the specified safe operating range. This protection mechanism enhances the durability and longevity of the gate driver, making it a dependable solution for demanding industrial and automotive environments

Hauptmerkmale

Accurate gate driver performance with adjustable delay
High-speed, low-power operation for efficient energy use
Fault-tolerant design prevents damage from faults

Spezifikationen

Bus voltage (max) (V)	90	Power switch	MOSFET
Input VCC (min) (V)	8	Input VCC (max) (V)	14
Peak output current (A)	1	Operating temperature range (°C)	-40 to 125
Undervoltage lockout (typ) (V)	8	Rating	Catalog
Propagation delay time (µs)	0.025	Rise time (ns)	15
Fall time (ns)	15	Iq (mA)	0.01
Input threshold	TTL	Channel input logic	TTL
Negative voltage handling at HS pin (V)	-1	Driver configuration	Dual, Independent

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