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Siehe Technische Spezifikationen

MJE180 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole TO-126

Hersteller:

NTE Electronics, Inc
Herstellerteil #:

MJE180
Datenblatt:

MJE180 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MJE180

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

MJE180 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole TO-126

Hauptmerkmale

Low Power Audio Amplifier
Low Current, High Speed Switching Applications

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Source Content uid	MJE180	Pbfree Code	No
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.29.00.75
Case Connection	ISOLATED	Collector Current-Max (IC)	3 A
Collector-Base Capacitance-Max	40 pF	Collector-Emitter Voltage-Max	40 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	12
JEDEC-95 Code	TO-126	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation Ambient-Max	12.5 W
Power Dissipation-Max (Abs)	1.5 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	50 MHz	VCEsat-Max	1.7 V

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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